MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC

International Rectifier

包装:管件,系列:HEXFET®,FET 类型:2 个 N 沟道（双）,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):20V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:7A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:30 毫欧 @ 7A，4.5V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):20nC @ 4.5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1340pF @ 16V,功率 - 最大值:2W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）,供应商器件封装:8-SO

• 北京京北通宇科贸有限公司
• 深圳市安宇达电子科技有限公司
• 深圳市顺科伟业电子有限公司
• 深圳市腾运泰科技有限公司
• 深圳市乐美微科技有限公司
• 德信电子（香港）有限公司
• 深圳市拍明芯城电子有限公司
• 北京华威远航电子科技有限责任公司
• 晟芯科技有限公司
• 深圳市福田区金森诺电子商行
• 深圳市辰华鼎盛电子科技有限公司
• 深圳市福田区新鹏兴电子经营部
• 深圳市金联芯科技有限公司
• 深圳市福田区伟成微电子经营部
• 深圳市芯仪科泰电子有限公司
• 深圳市福田区华博信微电子商行
• 深圳市美泰电子有限公司
• 深圳市和兴利科技有限公司
• 比苛雷凯企业(香港)有限公司
• 安达电子科技有限公司